固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、以创建定制的 SSR。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，但还有许多其他设计和性能考虑因素。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，此外，特别是对于高速开关应用。例如，以支持高频功率控制。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，每个部分包含一个线圈，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，在MOSFET关断期间，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。